-
Электронная почта
1316056746@qq.com
-
Телефон
15010040708
-
Адрес
398 Чжундун - роуд, район Чаоян, Пекин
Пекинская научно - техническая компания Цзинчэнхунтай
1316056746@qq.com
15010040708
398 Чжундун - роуд, район Чаоян, Пекин
Модуль IGBT 6SL39125 AP360AA0
Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. продает модуль IGBT компании Infinion; Управляемый кремниевый модуль; Модуль выпрямительного моста; Диодный модуль; Шлюз; Управляемый кремний, конденсатор, источник питания, вентилятор, датчик, модуль IPM; Модуль полупроводниковой мощности; Аксессуары преобразователя частоты, приводная панель, панель управления, панель CUVC
Преобразователь частоты GM150Модуль IGBT 6SL39125 AP360AA0
6SL3912-5AP36-0AA0 (6SL39125AP360AA0)
ПАРА ИГБТ-ПОВЕРКАРТЫ FZ1200; Водным охлаждением для синамики GM150/SM150 (IGBT) 4.16KV MAX 800A
Основные преимущества
Немецкий точный процесс.:: Использование модуля IGBT оригинального завода Siemens для обеспечения точности распознавания сетки (G) с помощью обнаружения сопротивления класса R×1KQ, частота отказов ниже отраслевого стандарта на 30%
Многосценная адаптация.:: Поддержка системы преобразователей среднего давления SINAMICS GM150 / SM150 (3,3 - 4,16 кВ) с воздушным охлаждением для удовлетворения потребностей в непрерывной работе тяжелой промышленности
Долгосрочная стабилизация:: Соответствие экологическим стандартам директивы RoHS, 20 кг компактной конструкции для достижения 20 000 часов непрерывной работы
Примеры применения
После внедрения этой модели на предприятии автоматизации:
• Снижение энергопотребления производственных линий на 18%
• Продление цикла технического обслуживания оборудования в 2,5 раза
• Совместимость с модулями серии 6SL3912 - 0AP36 - 0AA0 для гибкого расширения
Гарантия обслуживания
Спотовые поставки в Пекин (минимальный заказ 1 шт.)
Предоставление технических рекомендаций по обнаружению мультиметра и 72 часов реагирования на чрезвычайные ситуации
Бесплатная замена в течение трех лет гарантийного срока
Параметры продукта:
Модуль IHM B 1700 V 2400A 190 мм с одним переключателем IGBT, оснащенный решеткой / полевым концом IGBT четвертого поколения
ИХВ В 3300 В1000 А 130 мм одиночный переключательМодуль IGBTТретье поколение Trenchstop ™ IGBT、 Диоды с низким выключателем и эмиттерным управлением - решения для тяговых и промышленных применений
Модели модулей IGBT 3300V:
FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
Модуль IGBT FZ1000R33HL3
Модуль IGBT FZ1000R33HE3
Модуль IGBT FZ1200R33HE3
Модуль IGBT FZ1500R33HE3
Модуль IGBT FZ1500R33HL3
Модуль IGBT FZ1600R33HE4
Модуль IGBT FZ1400R33HE4
Модуль IGBT FZ2400R33HE4
Модуль IGBT FF450R33T3E3
Модуль IGBT FZ825R33HE4D

Как рассчитать рабочую температуру Tvj устройства IGBT?
Так говорит ChatGPT:
Для вычисления рабочей температуры Т устройства IGBTВЖНеобходимо учитывать следующие факторы:
1 |
Потеря мощности чипа IGBT. Это значение можно найти в datasheet, предоставляемом производителями чипов IGBT. Как правило, чем больше потеря мощности, тем выше температура рабочего перехода. |
2 |
Способ упаковки чипов IGBT. Различные способы упаковки влияют на эффективность охлаждения. В целом, метод упаковки с радиатором на обратной стороне лучше для охлаждения. |
3 |
Потенциал внешнего радиатора. Потенциал охлаждения внешнего радиатора также влияет на рабочую температуру. Размер радиатора, материал и вентиляция влияют на эффект охлаждения. |
Если учесть вышесказанное, можно использовать следующую формулу для расчета рабочей температуры Т устройства IGBT.ВЖА.
ТВЖ= Та+ Пd* РТХЦ
В том числе, ТаЭто температура окружающей среды, PdЭто потеря мощности на чипе IGBT, RТХЦЭто тепловое сопротивление соединения чипа с радиатором.
Следует отметить, что эта формула учитывает только теплоотдачу самого чипа IGBT и не учитывает теплоотдачу всей системы. Поэтому в практическом применении также необходимо определить рабочую температуру устройства IGBT в сочетании с конкретными системными условиями.
Модели модулей 1700V IGBT:
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
ФЗ1200Р17КФ4
FZ1200R17HE4
| FZ1200R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B2 FZ1600R17HP4_B21 FZ1800R17HP4_B29 FZ2400R17HP4_B2 FZ2400R17HP4_B28 FZ2400R17HP4_B29 FZ3600R17HP4_B2 |
|
FZ1200R17HP4 ФЗ1600Р17ХП4 FZ1800R17HP4_B9 FZ2400R17HP4 FZ2400R17HP4_B9 FZ3600R17HP4 Быстрое IGBT4 (IHM B)1) FZ1200R17HE4 FZ1800R17HE4_B9 FZ2400R17HE4_B9 FZ3600R17HE4 |
Описание

Спецификации продукции:
Тип IGBT: закрытие поля типа канавки
Настройка: полумост
Прорыв напряжения - коллектора: 1700 В
Электрический ток - коллектор (Ic): 2400 A
Электрический ток - закрытие коллектора: 100 мкА
Входная емкость при различных Vce (Cies): 122 nF @ 25 V
Ввод: Стандарт
Термосопротивление NTC: нет
Рабочая температура: - 40°C ~ 175°C (TJ)
Тип установки: установка основания
Пакет / корпус: модуль
Упаковка устройств поставщика: AG - 62MM
Характеристики продукции:
Высокая плотность мощности
VCE, SAT
Tvj op = 175°C Перегрузка
Высокое расстояние подъема и электрический зазор
Соответствует стандартам RoHS
4 кВ AC 1 минута изоляции
CTI > Корпус 400
Сертификация UL / CSA по UL1557 E83336
TRENCHSTOP ™ Микросхема IGBT7
Улучшенная EconoDUAL ™ 3 Пакеты
225, 750 и 900 A,1700V Модуль полумоста
Диод, 750 A IGBT С 1200 A Диод (только FF750R17ME7D_B11)
При перегрузке рабочая температура перехода может достигать 175° C
нажимной контрольный штырь
Модуль IGBT 6SL39125 AP360AA0
Преимущества:
Существующие упаковки с высокой электрической способностью позволяют увеличить выходную мощность инвертора при тех же размерах рамы
Высокая плотность мощности
Избегать параллельного подключения модулей IGBT
Снижение системных расходов за счет упрощения инверторных систем
Гибкость
Высокая надежность
Области применения продукции:
Источник бесперебойного питания (UPS)
Система хранения энергии
Управление и привод двигателя
Коммерческие, строительные и сельскохозяйственные транспортные средства (CAV)
частотный преобразователь

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. является поставщиком промышленной цепочки, объединяющей каналы, дистрибуцию, дистрибуцию, прямые продажи и модели OEM для продажи полупроводников и решений для электроэлектронной промышленности.
Продажа отечественных и зарубежных брендов электроэлектронных полупроводниковых устройств, преобразователей частоты, компонентов преобразователей частоты, алюминиевых электролитических конденсаторов и модулей мощности; Основные дистрибьюторы: Infineon Infineon, EUPEC Pike,
& quot; СИЕМЕНС Сименс & quot;, & quot; Сименкон Семикрон & quot;, & quot; Икс Айзес & quot;, & quot; АЕГ & quot;, & quot; Вишай & quot;, & quot; Данфосс Денверс & quot;, & quot
Fuji Fuji, Fairchild Flimiconductor, Toshiba Toshiba, Hitachi, SanRex, Sanken Sanken, POWEREX, Inda NIEC, США IR, Швейцария ABB, POWERSEM, NELL NIEL; Яскава Ангава;
IGBT, IGCT, IPM, PIM, управляемые кремниевые тиристоры, GTO, GTR Даррингтон, выпрямительные мосты, диоды, полевые модули, производимые такими компаниями, как Simar, Испания и другие; Япония Fuji (Fuji),
Выход солнца (HINODE), французский Roland (Ferraz), британский Gould, американский быстродействующий предохранитель Bussmann; KEMET, Итальянская Arcotronics (AV),
Itelcond, FACON, Италия, IKEGI ELECTRONICON, Франция TPC Thomson, Япония, Nippon chemi - con, Nijikon nichicon;
Рубины, epcos Aepcos, Rifa, Швеция, BHC, BHC Aerovox электролитические конденсаторы и CDE неинтрузивные конденсаторы США; Швейцарский привод CONCEPT IGBT, оптическая связь, главная панель управления преобразователем частоты, приводная панель, силовая панель, плата связи, плата интерфейса
Панель управления
Модуль IGBT 6SL39125 AP360AA0
Что такое IGBT?
IGBT, биполярный транзистор с изоляционной решеткой, представляет собой композитный полупроводниковый прибор с полным управлением напряжением, состоящий из BJT (биполярный триод) и MOS (полевой трубка с изоляционной решеткой), который сочетает в себе преимущества высокого входного сопротивления MOSFET и низкого пропускающего давления GTR. Давление насыщения GTR снижается, плотность несущего потока велика, но приводной ток больше; Мощность привода MOSFET невелика, скорость переключения быстра, но давление проводимости велико, а плотность несущего потока мала. IGBT сочетает в себе преимущества обоих устройств с небольшой приводной мощностью и сниженным давлением насыщения. Идеально подходит для трансформаторных систем с напряжением постоянного тока 600 В и выше, таких как двигатели переменного тока, преобразователи частоты, переключатели питания, осветительные схемы, тяговые передачи и другие области.
Сравнение IGBT и MOSFET
Полное название MOSFET - силовой полевой транзистор. Его три полюса - исходный (S), сток (D) и сетка (G) соответственно.
преимущество: Хорошая термостабильность, большая безопасная рабочая зона.
Недостатки: напряжение пробоя низкое, рабочий ток небольшой.Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Модуль 6SL39125 AP360AA0
Полное название IGBT - биполярный транзистор с изоляционной решеткой - продукт сочетания MOSFET и GTR (силовые транзисторы). Его три полюса - коллектор (C), эмиттер (E) и сетка (G) соответственно.
Характеристика: пробивное напряжение до 1200В, ток насыщения коллектора превысил 1500А. Частотный преобразователь, использующий IGBT в качестве инвертора, имеет пропускную способность более 250 кВА и рабочую частоту до 20 кГц.
Типичное применение IGBT
электродвигатель
источник бесперебойного питания
Установка солнечных панелей
Сварочный аппарат
Преобразователь питания и инвертор
индуктивное зарядное устройство
индукционная плита

Модели IGBT седьмого поколения:
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7