Модуль IGBT FZ2400R17KF4

Модуль IGBT FZ2400R17KF4

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. продает модуль IGBT компании Infinion; Управляемый кремниевый модуль; Модуль выпрямительного моста; Диодный модуль; Шлюз; Управляемый кремний, конденсатор, источник питания, вентилятор, датчик, модуль IPM; Модуль полупроводниковой мощности; Аксессуары преобразователя частоты, приводная панель, панель управления, панель CUVC

Модуль питания Питера Картера IGBT FZ2400R17KF4

Ниже приведены подробные сведения о модуле IGBT FZ2400R17KF4 * *:

- Да.

# # # * * 1. Ключевые параметры * *

- * * Класс напряжения * *: напряжение пробоя коллектора составляет * * 1700 В * * * для сценариев среднего и высокого давления.

- * * Токовая мощность * *: Непрерывный коллекторный ток (IC) составляет * * 2400 A * * *, пиковый ток (ICRM) может достигать более высоких значений и подходит для применения с высокой мощностью.

* * * Свойства переключателя * *: Использование * * TRENCHSTOP ™ Технология IGBT7 * * с низкой проводимостью и падением давления (VCE (sat)) и оптимизированными потерями переключателя.

- * * Тепловые свойства * *: Рабочие температуры перехода (Tvj) варьируются от * * - 40°C до 175°C * *, поддерживая работу при высоких температурах в условиях перегрузки.

- * * Пакет * *: Модульная конструкция, основание для установки, модель упаковки * * AG - 62MM * *, с высоким расстоянием подъема и электрическим зазором, соответствует сертификации * * UL1557 * *.

- Да.

# # # * * 2. Области применения * *

- * * Промышленные преобразователи частоты * *: Частотные преобразователи для таких брендов, как Siemens, поддерживающие высокомощные электрические приводы.

- * * Новые энергетические системы * *: для солнечных инверторов, систем хранения энергии и источников бесперебойного питания (UPS).

- * * буксировка и транспортировка * *: Преимущества высокой надежности в системах тяги коммерческих транспортных средств и железнодорожного транспорта.

- * * Электросварка и преобразование питания * *: для сценариев с высоким током, таких как электросварочные машины, индуктивные зарядные устройства и электромагнитные печи.

- Да.

# # # * * 3. Технические преимущества * *

- * * Высокая плотность мощности * *: Снижение потребностей в параллельном соединении за счет оптимизации конструкции упаковки и снижения затрат на систему.

- * * Конструкция с низкими потерями * *: Использование технологии конца траншеи / поля четвертого поколения для повышения эффективности переключателя и снижения тепловых потерь.

- * * Сильная теплоотдача * *: Поддержка медного фундамента или фундамента AlSiC для повышения тепловой циркуляции, подходит для долгосрочной работы с высокой нагрузкой.

- * * Совместимость с приводом * *: сопротивление сетки должно быть оптимизировано в соответствии с конкретными приложениями, рекомендуя диапазон в 1 - 2 раза значений справочника данных, чтобы сбалансировать скорость переключателя с характеристиками обратного восстановления диода.

- Да.

# # # * * 4. Поставщики и цены * *

- * * Поставщик * *: Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. (поставляет многофирменные электрические электронные приборы).

- * * Справочная цена * *: около * * 18 888 юаней / только * * (конкретная цена сделки зависит от договорного соглашения).

- * * Информация о доставке * *: Стартовый заказ ≥ 1 шт. Отправитель находится в районе Чанпин или Чаоян Пекина.

- Да.

# # # * * 5. Сопоставление соответствующих моделей * *

- * * Модель той же серии * *:

- * * FZ2400R17HP4 B28 * *: Аналогичная спецификация напряжения / тока, цена около 9999 юаней, максимальная рабочая температура 150 °C.

- * * FZ2400R17KF6C - B2 * *: Оптимизация конструкции диода с продолжением тока для сценариев с высокой степенью di / dt.

- * * Низкий ток версии * *: Например, FZ1200R17KF4 (1200A / 1700V), цена около 8888 юаней, подходит для средних потребностей в мощности.

- Да.

Для получения дополнительной информации о конструкции приводных цепей или технической документации можно обратиться к Руководству по данным Infineon или связаться с поставщиком для получения поддержки.

Параметры продукта:

Модуль IHM B 1700 V 2400A 190 мм с одним переключателем IGBT, оснащенный решеткой / полевым концом IGBT четвертого поколения

Применяемые решения

Модели модулей IGBT 3300V:

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
Модуль IGBT FZ1000R33HL3
Модуль IGBT FZ1000R33HE3
Модуль IGBT FZ1200R33HE3
Модуль IGBT FZ1500R33HE3
Модуль IGBT FZ1500R33HL3
Модуль IGBT FZ1600R33HE4
Модуль IGBT FZ1400R33HE4
Модуль IGBT FZ2400R33HE4
Модуль IGBT FF450R33T3E3
Модуль IGBT FZ825R33HE4D

Описание

Спецификации продукции:

Тип IGBT: закрытие поля типа канавки

Настройка: полумост

Прорыв напряжения - коллектора: 1700 В

Электрический ток - коллектор (Ic): 2400 A

Электрический ток - закрытие коллектора: 100 мкА

Входная емкость при различных Vce (Cies): 122 nF @ 25 V

Ввод: Стандарт

Термосопротивление NTC: нет

Рабочая температура: - 40°C ~ 175°C (TJ)

Тип установки: установка основания

Пакет / корпус: модуль

Упаковка устройств поставщика: AG - 62MM

Характеристики продукции:

Высокая плотность мощности

VCE, SAT

Tvj op = 175°C Перегрузка

Высокое расстояние подъема и электрический зазор

Соответствует стандартам RoHS

4 кВ AC 1 минута изоляции

CTI > Корпус 400

Сертификация UL / CSA по UL1557 E83336

TRENCHSTOP ™ Микросхема IGBT7

Улучшенная EconoDUAL ™ 3 Пакеты

225, 750 и 900 A，1700V Модуль полумоста

Диод, 750 A IGBT С 1200 A Диод (только FF750R17ME7D_B11）

При перегрузке рабочая температура перехода может достигать 175° C

нажимной контрольный штырь

Модуль IGBT FZ2400R17KF4

Преимущества:

Существующие упаковки с высокой электрической способностью позволяют увеличить выходную мощность инвертора при тех же размерах рамы

Высокая плотность мощности

Избегать параллельного подключения модулей IGBT

Снижение системных расходов за счет упрощения инверторных систем

Гибкость

Высокая надежность

Области применения продукции:

Источник бесперебойного питания (UPS)

Система хранения энергии

Управление и привод двигателя

Коммерческие, строительные и сельскохозяйственные транспортные средства (CAV)

частотный преобразователь

Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. является поставщиком промышленной цепочки, объединяющей каналы, дистрибуцию, дистрибуцию, прямые продажи и модели OEM для продажи полупроводников и решений для электроэлектронной промышленности.

Продажа отечественных и зарубежных брендов электроэлектронных полупроводниковых устройств, преобразователей частоты, компонентов преобразователей частоты, алюминиевых электролитических конденсаторов и модулей мощности; Основные дистрибьюторы: Infineon Infineon, EUPEC Pike,

& quot; СИЕМЕНС Сименс & quot;, & quot; Сименкон Семикрон & quot;, & quot; Икс Айзес & quot;, & quot; АЕГ & quot;, & quot; Вишай & quot;, & quot; Данфосс Денверс & quot;, & quot

Fuji Fuji, Fairchild Flimiconductor, Toshiba Toshiba, Hitachi, SanRex, Sanken Sanken, POWEREX, Inda NIEC, США IR, Швейцария ABB, POWERSEM, NELL NIEL; Яскава Ангава;

IGBT, IGCT, IPM, PIM, управляемые кремниевые тиристоры, GTO, GTR Даррингтон, выпрямительные мосты, диоды, полевые модули, производимые такими компаниями, как Simar, Испания и другие; Япония Fuji (Fuji),

Выход солнца (HINODE), французский Roland (Ferraz), британский Gould, американский быстродействующий предохранитель Bussmann; KEMET， Итальянская Arcotronics (AV),

Itelcond, FACON, Италия, IKEGI ELECTRONICON, Франция TPC Thomson, Япония, Nippon chemi - con, Nijikon nichicon;

Рубины, epcos Aepcos, Rifa, Швеция, BHC, BHC Aerovox электролитические конденсаторы и CDE неинтрузивные конденсаторы США; Швейцарский привод CONCEPT IGBT, оптическая связь, главная панель управления преобразователем частоты, приводная панель, силовая панель, плата связи, плата интерфейса

Панель управления

Что такое IGBT?

IGBT, биполярный транзистор с изоляционной решеткой, представляет собой композитный полупроводниковый прибор с полным управлением напряжением, состоящий из BJT (биполярный триод) и MOS (полевой трубка с изоляционной решеткой), который сочетает в себе преимущества высокого входного сопротивления MOSFET и низкого пропускающего давления GTR. Давление насыщения GTR снижается, плотность несущего потока велика, но приводной ток больше; Мощность привода MOSFET невелика, скорость переключения быстра, но давление проводимости велико, а плотность несущего потока мала. IGBT сочетает в себе преимущества обоих устройств с небольшой приводной мощностью и сниженным давлением насыщения. Идеально подходит для трансформаторных систем с напряжением постоянного тока 600 В и выше, таких как двигатели переменного тока, преобразователи частоты, переключатели питания, осветительные схемы, тяговые передачи и другие области.

Сравнение IGBT и MOSFET

Полное название MOSFET - силовой полевой транзистор. Его три полюса - исходный (S), сток (D) и сетка (G) соответственно.

преимущество: Хорошая термостабильность, большая безопасная рабочая зона.

Недостатки: напряжение пробоя низкое, рабочий ток небольшой.Beijing Jingcheng Hongtai Technology Co., Ltd. Модуль IGBT FZ2400R17KF4

Полное название IGBT - биполярный транзистор с изоляционной решеткой - продукт сочетания MOSFET и GTR (силовые транзисторы). Его три полюса - коллектор (C), эмиттер (E) и сетка (G) соответственно.

Характеристика: пробивное напряжение до 1200В, ток насыщения коллектора превысил 1500А. Частотный преобразователь, использующий IGBT в качестве инвертора, имеет пропускную способность более 250 кВА и рабочую частоту до 20 кГц.

Типичное применение IGBT

электродвигатель

источник бесперебойного питания

Установка солнечных панелей

Сварочный аппарат

Преобразователь питания и инвертор

индуктивное зарядное устройство

индукционная плита

Модели IGBT седьмого поколения:

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7